减产提价！多重因素影响，国内存储芯片逐步崛起

减产提价！多重因素影响，国内存储芯片逐步崛起 2025-03-10 请务必阅读正文之后的免责声明 1/7 减产提价！多重因素影响，国内存储芯片逐步崛起 原创 来觅研究院 RimeData 来觅数据 撰稿 李沛瑶 2025-03-10 导读：3 月 6 日，闪迪发布涨价函，宣布自 4 月 1 日起，所有产品提价超 10%，后续可能还会进一步提价。上月，三星电子宣布将采用长江存储的 “混合键合” 技术生产下一代 V10 NAND 闪存芯片（堆叠层数达 420-430 层）。这一系列举动标志着全球存储芯片产业格局的重塑，自 2024 年以来，存储芯片产业动作连连，成为市场炙手可热的细分赛道。存储芯片产业进展如何？中国存储芯片在其中占据怎样的地位？未来还有哪些值得关注的新技术？赛道投融情况如何？本文尝试分析和探讨。 存储芯片，格局将变 近期，三星电子与长江存储达成合作。起因是三星在电子研发 420-430 层的 V10 闪存时，传统工艺导致底层电路压力过大，性能下降。而长江存储的 Xtacking 技术通过分离存储单元与控制电路，再通过混合键合拼接，缩短电路路径，提升散热效率，同时降低成本。长江存储在混合键合领域拥有全球 70% 以上的核心专利，三星评估后认为无法规避，选择合作以避免法律风险。这是中国企业首次向国际存储巨头输出核心技术，标志着中国从存储芯片“追赶者”转向“领导者”。 而完成这一转变的最大功臣当属 Xtacking 技术。它将存储单元与控制电路独立制造，避免传统工艺中二者堆叠导致的信号干扰。在芯片连接方面，大量使用混合键合技术，利用微米级金属凸块（Bumping）与硅穿孔（TSV）进行芯片间三维连接，缩短电路路径，提升数据传输速度。 减产提价！多重因素影响，国内存储芯片逐步崛起 2025-03-10 请务必阅读正文之后的免责声明 2/7 在存储芯片市场上，长江存储面对三星电子无疑是后进者。存储芯片是典型的寡头垄断市场，长期由韩美企业主导。一般而言，存储厂商投片量越多，其芯片单位成本相对越低。2024 年，长江存储约占全球NAND Flash 市场份额的 6%，而三星约占市场份额的 32%。DRAM 市场也出现类似的情况，长鑫集成的市场份额仅为 5%。总体而言，国内存储芯片市场份额仍相对较少。 图表 1：2024 年全球存储芯片市场竞争格局 资料来源：公开资料、来觅数据 受制于智能手机、PC 等消费电子市场持续低迷，企业级存储需求因 IT 投资放缓而增长乏力，导致 NAND Flash 持续供过于求。自 2024 年下半年起，科技巨头们纷纷宣布启动第二轮减产，其中三星电子宣布整体减产约 20%，美光科技宣布减产约 10%，SK 海力士宣布减产 10%，西部数据亦宣布减产 15%。DRAM 市场更多受到 AI 需求提振，减产幅度相对较少。 尽管头部厂商持续减产，但渠道库存仍高达 6-8 周，折射出行业供需调整的复杂性与滞后性。展望未来价格，行业减产带来的价格因素有望最快在 25Q2 显现，NAND Flash 涨价将快于 DRAM。但高库存亦给价格上涨带来隐忧，渠道商多采取“按需采购”的策略。整体而言，行业仍处于去库存周期，上行还需时间。 三星电子, 39%SK海力士, 33%美光, 21%长鑫集成, 5%其他, 2%DRAM市场竞争格局三星电子, 32%SK海力士, 18%铠侠, 17%西部数据, 14%美光, 11%长江存储, 6%其他, 2%NAND 市场竞争格局减产提价！多重因素影响，国内存储芯片逐步崛起 2025-03-10 请务必阅读正文之后的免责声明 3/7 存储芯片行业受到供给、需求、库存三者共同的影响，呈现出强周期的特点。又由于长尾效益的影响，企业通常在行业下行期选择扩产，行业称之为“逆周期投资”。历史上，三星电子惯用“逆周期投资”手段击败对手，一跃成为了如今的存储芯片巨头。自 2023 年以来，中国存储芯片企业长江存储、长鑫集成亦凭借着技术进步拉近和龙头公司的差距，开始了大规模的“逆周期投资”。 目前，中国厂商正接过逆周期投资的接力棒。根据长江存储的二期规划，其 2025 年产能约提升至 30 万片/月，约等于 SK 海力士 NAND Flash 产能，份额扩升至全球市场的 10%。根据摩根士丹利，长鑫集成有望 2025 年达到 36 万片/月，实现全球 DRAM 市场 15%的份额。国内两大存储公司在 2025 年产能较2024 年均实现了较大程度增长，远期目标上，中国存储芯片将基本实现存储芯片的国产替代。 存储的未来 目前，存储芯片市场规模约占半导体器件市场的 24%，预计在未来这一比例会继续攀升。存储基本可以视为半导体行业的大宗商品，因而存储的未来与半导体整体市场息息相关。目前，人工智能蓬勃发展给半导体行业带来了新的产业机会。 AI 技术的快速发展正在从底层架构、性能需求和应用场景三个维度重塑存储行业。 AI 大模型训练对内存带宽需求呈指数级增长，传统 DDR 内存已无法满足需求，HBM 应运而生。HBM（高带宽内存）通过 3D 堆叠技术将 DRAM 芯片垂直堆叠，最新的 HBM3E 可实现高达 819GB/s 的带宽，较 DDR5 提升 5 倍以上。目前，HBM 出货已占据 DRAM 整体市场的 14%。在 AI 服务器中，HBM 的成本占比约为 20%-30%，仅次于用于计算的 AI 芯片。 在经典的冯诺依曼架构中，计算机中的运算单元、存储器、控制单元是分离的，计算机的指令和数据存储在存储器中，计算机工作时需要读取存储器中的指令后执行。在 20 世纪 90 年代以来，CPU 性能依据摩尔定律增长，而 DRAM 内存读取速度却并未提升，由此造成了“内存墙”现象。这一难题在 AI 训练中表现的尤为突出，大模型训练中，80%的事件消耗在数据搬运而非计算。为应对内存墙，产业做出了许多努力，比较突出的类型如存算一体、近存计算等，即在 DRAM 内/附近集成计算单元，减少数据搬运时减产提价！多重因素影响，国内存储芯片逐步崛起 2025-03-10 请务必阅读正