电子行业：国产替代系列研究（一）-半导体国产替代产业研究体系-上

半导体国产替代产业研究体系-上国产替代系列研究（一）金元证券分析师：王炤杰 S1450518060001联系方式：0755-21515567行业评级：增持证券研究报告电子行业/行业深度报告2025年4月20日目录一、国产替代：我国半导体产业快速发展的核心驱动力二、设备：受益于国产替代与晶圆扩产双重提振三、零部件：影响设备性能的瓶颈环节四、材料：国产渗透率持续提升，爆发力弱持续性强风险提示：1、市场竞争超预期；2、国产替代进度不及预期；3、技术路线变革。五、制造与封测：高端仍受制于设备瓶颈，加速从“可用”向“最优”升级1.1国产化替代：我国半导体产业快速发展的核心驱动力 半导体的海外市场和国内市场规律各不相同，海外市场半导体是一个成熟的周期成长行业，国内市场还处于快速发展的中前期成长阶段。 设备零部件材料：最为卡脖子的瓶颈环节，直接决定产业链的战略安全 晶圆制造/封测：先进制程和先进封装是第一驱动力 芯片：中低端消费类芯片逐步进入红海，大芯片刚刚崭露头角 工具软件：EDA工具、IP授权等也会影响先进芯片的生产效率资料来源：SEMI、金元证券研究所1.2半导体产业链全景硅晶园CMP抛光材料电子特种气体光刻胶日本信越捎光垂：空气化工日本JSR日本胜高陶氏化学普莱克斯信越化学环球晶圆Cabot林德集团日本TOK德国世创Thomas West液化空气陶氏化学LG Siltron富士纺日本大阳日苏州瑞红法国Soitec日本JSR酸株式会社北京科华台湾合晶抛光液：中船重工Okmetic日本Fujimi南大光电台湾嘉晶Hinomoto上海至纯上海新昇Kenmazai靶材光罩重庆超硅美国卡博特JX日矿金属Photronics宁夏银和杜邦霍尼韦尔日本DNP天津中环Rodel东曹Toppan浙江金瑞泓Eka普莱克斯路维光电郑洲合晶韩国ACE江丰电子菲利华北京奕斯伟安集微电子有研新材湿电子化学品首骋新材料江化微电子果龙股份晶瑞股份IG设计IC制造IC封测高道台湾台积电台湾日月光英伟达美国格罗方德美国安堂联发科台湾联华电子江苏长电科技超威韩国三星矽品科技赛灵思上海中芯国际台湾力成科技美满电子台湾力晶科技甘肃天水华天联咏科技Tower Jazz江苏南通通瑞昱半导体台湾Vanguard富微电子新思半导体上海华虹宏力台湾京元电子日本富士通联测美国英特尔台湾南茂科技无锡SK海力士新加坡联合科技长江存储科技台湾顶邦科技上海ASMC江苏南通富士通微电子华海上华科技韩国Nepes上海华力微电子马来西亚Unisem苏州晶方半导体科技深圳气派科技无锡华洞安盛广东风华芯电资料来源： TrendForce 、SEMI、金元证券研究所2.1半导体设备：受益于国产替代与晶圆扩产双重提振全球芯片设备市场持续增长，不断刷新销售记录国际半导体产业协会（SEMI）最新报告显示，2024年全球芯片设备销售额预计增长6.5%至1130亿美元，创历史新高。这一数据较此前预测有所上调，主要得益于中国大陆及AI相关领域的投资超预期。2025年和2026年全球芯片设备销售额将分别增长7%和15达到1210亿美元和1390亿美元，连续三年刷新纪录。中国大陆投资表现亮眼，国产设备占比超过一半2024年全球DRAM/HBM相关设备投资同比增长35%，其中HBM设备支出占比首次突破25%，中国大陆市场的设备采购额预计将达到490亿美元，占全球份额32%，进一步巩固其全球领先地位。SEMI指出，至2026年，中国大陆、中国台湾和中国有望继续保持全球芯片设备采购额前三的位置。国产设备占比首次突破50%，在刻蚀、清洗、去胶、CMP等领域国产化率超50%，但光刻设备仍依赖进口。国内晶圆厂扩产占比提升，中国大陆通过成熟制程扩产快速提升全球份额2024年中国大陆晶圆厂月产能达860万片，同比增长13%，占全球总量的28%。2025年预计月产能进一步增长14%至1010万片，占全球成熟制程产能的25%以上。TrendForce预测，2027年中国大陆成熟制程产能占比将升至39%，成为全球最大供应区域。长期看，政策与新兴需求仍是增长核心。 2016-2024年12英寸 Fab厂设备支出（百万美元） 2015-2024年全球半导体设备市场规模及增速（亿美元） 2015-2024年中国半导体设备市场规模及增速（亿美元）-10%0%10%20%30%40%010000200003000040000500006000070000800002016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024支出同比-10.00%0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%0200400600800100012001400全球半导体设备销售额（亿美元）YOY-10.00%0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%60.00%70.00%01002003004005006002015 2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023 2024中国半导体设备销售额(亿美元)YOY半导体前道设备流程及对应设备 半导体制造分为前道晶圆制造、以及后道的封装测试，其中晶圆制造分为氧化、光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入、机械抛光、晶圆检测等工序。 前道设备在半导体设备中占比约88.30%，其中光刻、刻蚀、薄膜沉积是占比较高的三类设备。壁垒最高的是光刻机，其次是量测设备、涂胶显影等设备。半导体前道设备市场结构 全球半导体设备市场结构资料来源：SEMI、金元证券研究所17%22%22%12%6%4%3%1%13%光刻机刻蚀机薄膜沉积检测设备清洗机涂胶显影机CMP离子注入设备其他2.2前道工艺设备：晶圆制造核心环节的关键技术装备4.50%7.20%88.30%封装设备测试设备前道设备 ASML技术垄断高端EUV和ArF沉浸式光刻机，2024年全球光刻机出货额占比82%，EUV需求爆发（2nm以下制程）及High-NA EUV量产，High-NA EUV将垄断2nm以下市场，但美国出口管制限制其对中国供货。 Nikon和Canon转往中低端市场与面板市场，2024年全球光刻机出货额合计占比14%，份额进一步下降； 国产厂商上海微电子（SMEE）在国内中低端应用领域持续突破，90nm DUV光刻机国内市占率提升，计划2026年推出28nm DUV，目标覆盖国内70%成熟制程需求。光刻机 LAM刻蚀设备技术水平全球领先，2024E市场份额接近50%左右；AMAT和TEL凭借在CVD和PVD的产品组合优势紧追在后，2024年预测全球市场份额分别为22%、24%； 国内厂家主要为中微公司与北方华创，分别于介质和导体刻蚀接近国际水平，技术节点达5nm和14nm。中微公司介质刻蚀设备已经打入台积电7nm/5nm产线，是唯一进入台积电产线的国产刻蚀设备厂商；北方华创14nm导体刻蚀设备已经通过ICRD认证，正在中芯国际14nm产线认证中。刻蚀设备资料来源：各公司官网、SEMI、金元证券研究所2.3半导体设备竞争格局ASML, 82%Nikon,约8%Canon,4%其他，6%LAM