普冉股份(688766)公司深度报告；存储业务高速增长，“MCU+模拟”打开成长空间

公 司 研 究 2024.06.21 1 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 普 冉 股 份 （ 688766） 公 司 深 度 报 告 存储业务高速增长，“MCU+模拟”打开成长空间 分析师 郑震湘 登记编号：S1220523080004 佘凌星 登记编号：S1220523070005 推 荐 ( 维 持 ) 公 司 信 息 行业 数字芯片设计 最新收盘价(人民币/元) 97.9 总市值(亿)(元) 103.39 52 周最高/最低价(元) 133.09/63.00 历 史 表 现 数据来源：wind 方正证券研究所 相 关 研 究 《普冉股份：深耕 NOR Flash+eeprom 领域，拓展“存储+“产业布局》2023.05.07 普冉股份于 2016 年成立，已发展成为国内领先的存储芯片设计厂商，产品下游覆盖消费、汽车、工业等众多领域，已打入荣耀、三星、小米等众多知名客户供应链；同时，公司着力推进“存储+”战略，布局 MCU 及模拟线业务，长期成长动力充足。23 年公司去库存成效显著叠加新品放量，全年实现营收 11.27 亿元，同比+21.87%。24Q1 伴随下游消费等领域需求复苏，公司实现营收 4.05 亿元，同比+98.5%；实现扣非归母净利润 0.62 亿元，同比+233.0%。根据公司 6 月 19 日公告，24 年 4 月至 5 月实现营收约 3.38 亿元，同比增长约 131%，在手订单约 1.7 亿元（含税），经营持续向好。 边缘侧需求驱动 NOR Flash 与 EEPROM 市场规模增长，SONOS 工艺带来成本性能优势。基于 SONOS 工艺，公司持续研发更低功耗、更高性能的 NOR Flash产品，已成功推出 40nm 制程和业界首款 1.1V 超低功耗 NOR Flash 产品，显著降低运行功耗，延长终端设备电池寿命，在可穿戴设备等领域竞争优势显著。在此基础上，公司发力中大容量 NOR Flash 产品，有望带动存储业务营收持续成长。此外，公司积极布局研发 EEPROM 产品，当前大陆份额排名前二，产品覆盖 2Kbit 至 4Mbit，可应用于手机、工业控制、汽车电子及通信等众多领域。同时，公司正积极拓展数据中心光模块 EEPROM 产品，以满足高速计算和数据传输需求。长期来看公司存储业务有望持续稳健成长。 深耕 MCU 业务打开第二成长曲线。普冉股份近年布局 MCU 业务，基于在 SONOS工艺、超低功耗及高集成度方面的工艺与设计优势，公司已推出基于 M0+内核的 MCU 产品，并与 IAR 系统合作加强生态支持。32 位 MCU 在市场中的应用占比预计将持续增加，普冉股份通过提供高性价比 32 位通用型 MCU，积极满足市场需求。我们预计伴随去库存结束以及新品持续导入放量，公司MCU 业务将在未来几年迎来显著成长。 盈利预测及投资建议：我们看好公司的未来发展，预计 2024/2025/2026 年分别实现营收 19.3/24.4/30.3 亿元，对应增速分别为 71.5%/26.4%/23.9%。预计 2024/2025/2026 年分别实现归母净利润 2.4/3.4/4.8 亿元，对应增速分别为 588.4%/46.1%/39.8%。基于 PE 估值法，可比公司 2024/2025/2026年 PE 估值均值为 174.0/48.1/31.8x，普冉股份 2024/2025/2026 年 PE 估值为 43.9/30.0/21.5x，较可比公司具备估值优势，给予“推荐”评级。 风险提示：下游需求不及预期，研发进度不及预期，行业竞争加剧。 [Table_ProFitForecast] 盈 利 预 测 （人民币） 单位/百万 2023A 2024E 2025E 2026E 营业总收入 1127 1933 2445 3029 (+/-)% 21.87 71.54 26.44 23.92 归母净利润 -48 236 345 481 (+/-)% -158.06 588.41 46.12 39.75 EPS (元) -0.64 2.23 3.26 4.56 ROE(%) -2.50 10.85 13.69 16.06 PE -153.09 43.85 30.01 21.48 PB 3.84 4.76 4.11 3.45 数据来源：wind 方正证券研究所 注：EPS 预测值按照最新股本摊薄 方 正 证 券 研 究 所 证 券 研 究 报 告 -43%-30%-17%-4%9%22%23/6/2123/9/2023/12/2024/3/2024/6/19普冉股份沪深300普冉股份(688766) 公司深度报告 2 敬 请 关 注 文 后 特 别 声 明 与 免 责 条 款 正文目录 1 大力投入研发拐点已至，“存储+”战略打开长期成长空间 ............................................. 4 1.1 深耕非易失性存储芯片，“存储+”战略拓展业务布局 .......................................... 4 1.2 股权结构稳定，股权激励提升整体凝聚力 ..................................................... 5 1.3 新品放量叠加需求复苏，全年高增可期 ....................................................... 7 2 存储：SONOS 工艺带来成本性能优势，高容量产品带动新增长 .......................................... 10 2.1 NOR Flash 物联网时代不可或缺，大厂退出格局优化 ........................................... 10 2.2 低功耗 NOR Flash 成各家必争之地，普冉 SONOS 工艺优势显著 .................................. 12 2.3 EEPROM 技术领先助力多领域应用，普冉份额居中国大陆前二 .................................... 15 3 存储+：MCU + 模拟芯片更大市场打开成长天花板 .................................................... 19 3.1 MCU 市场空间广阔，普冉股份积极布局 ....................................................... 19 3.2 智能手机需求催化 VCM 成长，OIS 芯片布局开拓新前景 ......................................... 20 4 盈利预测及投资建议 ...................................................