科技行业专题研究：存储，底部已过，AI推动行业进入新周期

免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 1 证券研究报告 科技 存储：底部已过，AI 推动行业进入新周期 华泰研究 电子 增持 (维持) 半导体 增持 (维持) 研究员 余熠 SAC No. S0570520090002 SFC No. BNC535 yuyi@htsc.com +(86) 755 8249 2388 研究员 黄乐平，PhD SAC No. S0570521050001 SFC No. AUZ066 leping.huang@htsc.com +(852) 3658 6000 研究员 张皓怡 SAC No. S0570522020001 zhanghaoyi@htsc.com +(86) 21 2897 2228 联系人 权鹤阳 SAC No. S0570122070045 SFC No. BTV779 quanheyang@htsc.com +(86) 21 2897 2228 联系人 陈钰 SAC No. S0570121120092 chenyu019111@htsc.com +(86) 21 2897 2228 华泰证券研究所分析师名录 行业走势图 资料来源：Wind，华泰研究 重点推荐 股票名称 股票代码 目标价 (当地币种) 投资评级 兆易创新 603986 CH 107.50 买入 聚辰股份 688123 CH 62.40 买入 澜起科技 688008 CH 61.80 买入 资料来源：华泰研究预测 2023 年 9 月 13 日│中国内地 专题研究 周期拐点将至叠加 AI 需求催化，关注存储赛道投资机会 存储是数字经济发展的基石，作为典型的周期成长行业，我们认为存储正处于新一轮成长的黎明期：1）周期方面，经过 2021 年末起 7 个季度的下行期后，当前存储产品价格已呈现筑底态势，叠加存储原厂减产、下游库存水位持续修正，我们认为目前行业已处于周期底部，下半年需求有望逐步回暖；2）创新方面，AI 高速发展推动 HBM 为代表的高性能存储器需求快速增长，我们测算 HBM 市场 24 年将达 64 亿美金，AI 有望开启存储成长新篇章；3）中美摩擦背景下，中国企业级存储市场国产化需求迫切，信创市场国产厂商大有可为。我们建议关注国产存储模组、封测以及配套芯片厂商的投资机遇。 周期：筑底信号显著，AI 驱动单机密度提升，23 年下半年起有望逐步回暖 供给端，原厂稼动率与资本开支大幅缩减，我们预计下半年开始减产效果将更加显著，预计 23/24 年 DRAM 与 NAND bit 供给增速分别为 4.6%/8.0%与 6.7%/14.8%。需求端，23 年各终端整体疲软态势持续，24 年有望在手机终端需求复苏、手机与服务器单机密度持续提升下带动整体需求回暖，我们预计 23/24 年 DRAM 与 NAND bit 需求增速分别为 8.1%/14.4%与9.6%/20.0%。存储价格也已筑底，CFM 报价显示部分品类价格已出现上涨，存储周期拐点将近，下半年市场回暖有望开启新一轮上行。我们预计 24 年全球存储市场规模将同比增长 38%（2023E：-42%）至 1105 亿美元。 创新：AI 催化 HBM 需求快速增长，为服务器市场带来增量空间 AI 带动的算力需求快速增长需要存储芯片进行容量与带宽上的配套， GDDR 方案带宽迭代速度已难以满足，而带宽更高的 HBM 方案有望加速增长，我们预计 HBM 将在 24/25 年后成为市场主流。受 AI 服务器销量增长、单服务器 HBM 容量提升驱动，我们测算 HBM 市场规模将从 22 年的 15 亿美金增长至 24 年的 64 亿美金，对应 107%的 22-24 CAGR；AI 服务器存储市场规模将从 22 年的 106 亿美金增长至 24 年的 151 亿美金，对应 19%的22-24 CAGR。目前海力士已量产 HBM3，并率先向英伟达 H100 供应，三星将于 2H23 量产 HBM3，美光预计 24 年量产 HBM3。 国产化：存储 IDM 原厂持续国产化，带动本土产业链成长 国内存储IDM原厂为长鑫存储与长江存储，两家公司分别在 DRAM与NAND技术追赶上进展迅速，长鑫 23 年 DRAM 已突破 17nm，长江存储 NAND 布局上推进至 232 层，逐步向海外主流水平靠近。据 IDC 数据，长鑫与长存在 DRAM 与 NAND 上市占率从 2020 年的 0.3%与 1.0%上升至 2022 年的1.8%与 3.5%，我们预计未来国产化水平将继续提升。原厂颗粒国产化将有助于培养本土供应链，为下游模组厂商带来产业集群以及成本上的优势，推进模组厂商的国产替代。国产利基存储厂商也将同步受益，在汽车、工业与物联网设备等长尾领域持续渗透。 周期反转下，建议关注顺序为模组与封测、配套芯片、利基存储设计 周期反转后景气度将逐步沿产业链向上传导，我们预计 23H2 或 24 年周期上行后，模组与封测环节将率先受益，迎来估值倍数与业绩增速提升的戴维斯双击，产业链公司包括：江波龙、佰维存储、朗科科技、德明利等；模组环节库存水平正常化后将拉动配套芯片需求，相关公司包括：澜起科技、国科微、联芸科技（未上市）、得一微（未上市）；利基存储设计环节相关公司包括：兆易创新、北京君正、聚辰股份、东芯股份、普冉股份、恒烁股份。 风险提示：下游需求复苏不及预期风险；国产存储供应链技术进展不及预期风险；地缘政治风险；宏观经济波动风险；本研报中涉及到未上市公司或未覆盖个股内容，均系对其客观公开信息的整理，并不代表本研究团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。 (19)(9)11121Sep-22Jan-23May-23Sep-23(%)电子半导体沪深300 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 2 科技 正文目录 核心观点：周期拐点+创新赋能，存储行业有望迎上行 ................................................................................................ 5 与市场不同的观点 ................................................................................................................................................. 6 存储市场 23 年周期见底，24 年复苏下规模有望达 1081 亿美元 ............................................................................... 10 核心关注产业链环节：模组封测厂或率先受益周期反转，利基市场供应链向亚洲转移 ...................................... 11 存储模组：附加值来源为产品选型，产业链最下