海外存储行业龙头系列：SK海力士二十年复盘，涅槃重生的存储巨头之路

海外存储龙头系列：SK海力士二十年复盘，涅槃重生的存储巨头之路长城证券产业金融研究院科技首席：唐泓翼执业证书编号：S10705211200012024.06.14证券研究报告行业专题报告评级：强于大市需求侧1：AI服务器存储量价齐升，AI算力催化HBM需求激增行业规律：单台AI服务器上每投资1美金GPU算力→对应投资 0.6美金存储Yole预计25年全球HBM位元出货量达16.96亿GB→市场规模将达199亿美元2.75.514.119.94%10%19%18%0%20%40%0102030402022202320242025HBM市场规模(十亿美元)占DRAM市场比重(%)-100%-50%0%50%100%150%0204060801001201401601992/011994/011996/011998/012000/012002/012004/012006/012008/012010/012012/012014/012016/012018/012020/012022/012024/01同比YoY存储芯片市场规模(亿美元，3MMA)产业周期：存储周期通常为3-4年，是半导体风向标一张图看懂存储——AI助推需求高增长，半导体存储周期拐点已现-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%0246810121992/011994/011996/011998/012000/012002/012004/012006/012008/012010/012012/012014/012016/012018/012020/012022/012024/01同比YoY存储芯片平均单价(美元/颗，3MMA)2数据来源：IDC，WSTS，Omdia，Counterpoint，Statista，Yole， IC insights，Semi，TrendForce，Gartner，各公司官网，长城证券产业金融研究院791亿美元存储产业链结构器件/模组封测IDM(原厂)存储晶圆制造存储芯片设计上游-原材料+设备中游-存储器模组制造Fabless下游-应用领域电脑/服务器摄影/监控汽车电子移动终端硅片PCB主控芯片NAND Flash:模组厂商&封测厂商电阻/电容/电感存储器分类：光学+磁性+半导体存储市场呈现海外寡头垄断格局，CR3/CR5高达90+%DRAM: CR3达95%旺宏, 33%华邦, 35%兆易创新, 23%其他, 9%三星, 33%Kioxia/WDC, 32%美光, 12%海力士, 19%其他, 5%三星, 43%海力士, 28%美光, 25%其他, 5%CD光学存储存储器半导体存储非易失性存储供给侧：各原厂积极扩产HBM，24年资本开支预计高于原计划需求侧2：单机平均存储容量翻2/4倍，将带动总需求数倍增长AI手机/AI PC对存储需求升级→单机平均容量翻2/4倍+移动终端出货量稳定→总存储容量需求数倍增长易失性存储DRAM(占比55%)SRAMNAND Flash(占比42%)NOR Flash(占比2%)EEPROM等(占比1%)DVD磁性存储机械硬盘磁盘软盘半导体存储关键技术进展：NAND+DRAM三星$340亿(占43%)SK海力士$221亿(占28%)美光$198亿(占25%)其他三星$198亿(占33%)Kioxia/WDC$192亿(占32%)SK海力士$114亿(占19%)美光$72亿(占12%)其他华邦$10亿(占35%)旺宏$9亿(占33%)兆易创新$7亿(占23%)其他$3亿(占9%)791亿美元601亿美元37亿美元CMP设备封测设备刻蚀设备光刻机薄膜沉积设备刻蚀设备薄膜沉积设备海外中国大陆光刻机海外中国大陆存储晶圆海外中国大陆存储芯片设计海外中国大陆存储模组海外中国大陆主控芯片海外中国大陆封装测试海外中国大陆海外中国大陆LamTELAMAT北方华创中微公司拓荆科技北方华创TEL应用材料华卓精科ASML尼康佳能长江存储长鑫存储美光三星SK海力士三星铠侠SK海力士江波龙佰维存储德明利朗科科技Kingston联芸科技得一微Marvell慧荣科技深科技华天科技长电科技通富微电日月光存储原厂2023年 (减产/降低投资)2024年 (扩产/提高投资)铠侠2022年9月宣布将减少NAND Flash 30%产量3月NAND Flash产能利用率恢复至90%西部数据 2023年1月宣布NAND Flash减产 30%；2023年资本开支下调15%至23亿美元2024年将继续严格控制资本开支美光宣布减少20%的NAND Flash和DRAM晶圆产出；2023年资本开支同比下滑40+%至约70-75亿美元预计2024财年资本支出75~80亿美元(高于此前规划)，同比略增，主要支持HBM3E扩产SK海力士将对收益较低的存储产品进行减产；2023年资本开支将从2022年的19万亿韩元下调 50%以上为满足HBM扩产和M15X的新投资决定，2024年资本支出预计将高于此前的原计划三星2023年4月宣布将减少存储器产量；灵活调整2023年设备资本支出将超过 20% 的 DRAM 生产线转换为 HBM 生产线481亿美元76亿美元676亿美元性能分类原理示意图关键制程节点技术路径NAND Flash通过电子隧穿进浮栅321L3D NANDDRAM通过电容存储电荷10nm(1β)HBM, CXL51亿美元NAND Flash: CR5达96% NOR Flash: CR3达91%公司分类供需格局产业链及产业周期行业概况约占半导体市场规模的1/4CXL……手机单机平均NAND容量：128GB→256GB\512GB市场规模：存在周期性波动，当前已进入上行周期存储价格：终端需求回暖，当前价格仍处上涨阶段据测算：较普通服务器相比，AI服务器需求的HBM单机价值量达1.8万美元据Yole预测：2025年全球HBM位元出货量达16.96亿GB，市场规模将达199亿美元兆易创新北京君正东芯股份普冉股份10.013.014.314.714.614.113.712.913.412.211.511.93.1 3.1 2.8 2.6 2.6 2.6 2.7 3.0 3.5 2.9 2.5 2.701020全球智能手机和PC出货量(单位：亿)智能手机PCPC单机平均NAND容量：512GB→1TBAI服务器(美元)成本占比(%)普通服务器(美元)成本占比(%)价值量提升金额(美元)显存HBM180009%-0%18000DRAM170009%660017%10400硬盘SSD+RAID1900010%1240031%6600200000100%40000100%160000零件类型存储总成本(其中，AI服务器以英伟达DGX A100为例)（注：图中为2022年市场规模）024681012142001/012002/012003/012004/012005/012006/012007/012008/012009/012010/012011/012012/012013/012014/012015/012016/012017/012018/012019/012020/012021/012022/012023/012