电子行业动态点评：存储，价格拐点将至，企业级存储国产替代加速

免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 1 电子 存储：价格拐点将至，企业级存储国产替代加速 华泰研究 电子 增持 (维持) 研究员 谢春生 SAC No. S0570519080006 SFC No. BQZ938 xiechunsheng@htsc.com +(86) 21 2987 2036 研究员 张皓怡 SAC No. S0570522020001 zhanghaoyi@htsc.com +(86) 21 2897 2228 研究员 陈钰 SAC No. S0570523120001 chenyu019111@htsc.com +(86) 21 2897 2228 联系人 林文富 SAC No. S0570123070167 linwenfu@htsc.com +(86) 21 2897 2228 行业走势图 资料来源：Wind，华泰研究 2025 年 3 月 03 日│中国内地 动态点评 2/25，CFM 闪存市场跟踪数据显示，近一周部分渠道 SSD 产品料号价格出现小幅上涨，1Q25 存储价格基本处于磨底阶段。供给端看，美光、三星、SK 海力士等海外大厂 2025 年将减少 NAND 资本开支并陆续减产 DDR4 产品（2H24 已开始逐步停产 DDR3）；需求端看，AI 赋能手机、PC 等消费电子终端有望带动换机需求和单机容量增长，且字节、阿里等互联网厂商 2025年数据中心资本开支进一步加大。我们预计 2H25 消费级存储产品供需结构将出现改善，价格有望回暖；eSSD、HBM、大容量 DDR5 等产品受益于数据中心需求高景气，2025 年价格将保持在较高水平。此外，2025 年国内互联网企业进一步加快存储产品采购的国产化进程，国内存储颗粒及模组厂商份额或将明显提升，建议关注相关投资机遇。存储模组产业链公司包括：江波龙、德明利、佰维存储、澜起科技、兆易创新、联芸科技等。 海外大厂重启减产策略，存储价格年中有望迎来拐点 2024 下半年，由于手机、PC 等消费类需求复苏力度较弱，除了 HBM、大容量 DDR5 以及 eSSD 等数据中心相关存储产品价格保持坚挺外，消费级存储价格下滑较为明显。3Q24 SK 海力士 NAND 业务收入率先出现环降，4Q24 三星、美光 NAND 及传统 DRAM 收入环比也开始出现下滑。为应对市场供过于求状况，2024 年底以来，美光、三星、西部数据、铠侠等海外大厂纷纷宣布将积极减产 NAND 以及 DDR4、LPDDR4 等 DRAM 产品，其中西部数据/美光计划 2025 年将 NAND 产量下降约 15%，以稳定市场价格。考虑在产品的生产周期，我们预计 2H25 NAND、DDR4 等产品供需格局有望得到改善，消费类存储价格年中或将迎来反弹，企业级存储价格将保持稳定，Trendforce 预计 3Q/4Q25 NAND 整体价格将环比增长 10-15%/8-13%。 国内 AI 基建加码带动企业级 SSD 需求增长，国产替代空间广阔 字节、阿里等国内互联网厂商 2025 年 AI 资本开支将进一步加大，3QFY25业绩会上阿里表示在云和 AI 的基础设施上，未来三年的投入预计将超越过去十年的总和。国内 AI 基建加码将带动企业级存储产品（eSSD、HBM、DDR5 等）需求快速增长，2024 年在海外云厂商 AI 资本开支大增驱动下，SK 海力士、铠侠企业级 SSD 收入同比增长超过 300%。据 CFMS 数据（2022），2026 年中国企业级 SSD 市场规模有望达到 669 亿元，2022-2026 CAGR 达 25%。1H24 Solidigm（美）、三星（韩）在中国企业级 SSD 市场中合计份额超过 65%，目前国内模组厂商份额较低，且销售主要集中在运营商、政务等行业。2025 年互联网厂商提出更高的国产化诉求，且原厂颗粒国产化将更加助于培养本土供应链，带动模组、主控芯片、封测等环节加速国产替代。 投资建议：关注本土存储产业链投资机遇 存储模组环节处于行业下游，伴随行业价格企稳回升，其业绩有望率先迎来拐点。国内存储模组公司产品技术能力日趋完善，横向扩充产品品类，逐步实现从消费类向企业级/车规级产品的拓展，纵向发力主控芯片及封测领域，实现自主供应，提升综合竞争力。存储价格拐点将至，我们看好国内模组产业链相关公司充分受益于行业周期向上，以及国内 AI 基建加码带动的 eSSD等企业级模组需求增长和国产替代加速。产业链相关公司包括江波龙、德明利、佰维存储、澜起科技、兆易创新、联芸科技等。 风险提示：下游需求复苏不及预期风险；国产存储供应链技术进展不及预期风险；地缘政治风险；宏观经济波动风险。本研报中涉及到的未上市公司或未覆盖个股内容，均系对其客观公开信息的整理，不代表本研究团队对该公司、该股票的推荐或覆盖。 (13)1152943Mar-24Jul-24Oct-24Feb-25(%)电子沪深300 免责声明和披露以及分析师声明是报告的一部分，请务必一起阅读。 2 电子 价格拐点将至，企业级存储国产替代加速 2025 年海外大厂重启减产策略，存储价格有望迎来拐点 存储原厂陆续减产 NAND 及 DDR4、LPDDR4 产品，2025 年三星、美光和海力士资本开支预计合计同比增长 8.0%，主要投向 HBM、DDR5 等高端产线。2024 年，受宏观经济及AI 终端渗透不及预期影响，手机、PC 等消费电子市场需求复苏缓慢，据 IDC 数据，2024年全球智能手机/PC 出货量同比+4.15%/+1.14%；而在海外云厂商强 AI 资本开支驱动下，数据中心相关需求保持旺盛，2024 年前三季度全球服务器出货量同比+14.20%。4Q24 全球 DRAM 市场和 NAND 市场增长出现分化，据 CFM 闪存市场数据，4Q24 全球 DRAM 市场规模环比+13.5%，主要受益于AI服务器对HBM和高容量DRAM需求拉动，传统类DRAM收入已出现环比下滑；而全球 NAND 市场环比-8.5%，出货量及 ASP 环比均有减少。 为应对市场供过于求状况，2024 年底以来，美光、三星、SK 海力士、西部数据等海外大厂纷纷宣布将积极减产 NAND 以及 DDR4、LPDDR4 等产品，其中，西部数据/美光宣布2025 年 NAND 将减产约 15%（mid-teens percentage），三星、SK 海力士表示除减产 NAND产品外，将同时减产需求较弱且市场竞争激烈的 DDR4、LPDDR4 产品。根据彭博预测，2025 年三星、美光、海力士三家资本开支将同比增长 8%，主要聚焦 HBM、DDR5、LPDDR5等高端产线。 图表1： 全球 DRAM/NAND 市场收入（亿美元） 资料来源：CFM 闪存市场，华泰研究 图表2： 主要存储厂商 4Q24 DRAM 业务收入及环比变化 图表3： 主要存储厂商 4Q24 NAND 业务收入及环比变化 资料来源：CFM 闪存市