存储行业深度报告：供需改善下NAND价格拐点趋近，高端存储和端侧创新带来增量需求

敬请阅读末页的重要说明 2025 年 03 月 17 日 推荐（维持） 存储行业深度报告 TMT 及中小盘/电子 存储行业不同细分领域表现明显分化，高端存储器价格表现较好，消费类产品价格跌至周期底部；但伴随 HBM 等高端存储器需求持续旺盛，叠加减产效应下整体供需格局明显改善，部分 NAND 产品价格拐点显现，存储模组等厂商盈利能力亦有望得到修复。供给侧，伴随海外存储原厂针对性减产和去库存，部分 NAND 等产品价格拐点显现。需求侧，一方面多家云厂商未来资本开支指引较好，HBM、eSSD 等需求旺盛，国内存储 IDM 厂商和配套供应链公司加速国产替代；另一方面算力下沉趋势确立，嵌入 AI 大模型的手机/PC/可穿戴等产品存储容量持续提升，边缘侧算力要求带来存算一体等创新加速。2025 年国内存储行业将持续围绕消费类产品边际复苏+高端产品国产替代+端侧产品创新加速三大主线，建议重点关注国内存储模组、利基存储芯片及配套供应链公司机遇。 ❑ 存储原厂减产效应下整体供需格局进一步改善，NAND 等产品价格拐点趋近。供需格局的不同导致存储器不同细分领域表现分化，高端产品需求和价格表现较好，但消费类产品价格持续承压，同时 NAND 价格表现明显弱于 DRAM。但最近几个季度以来，存储行业发生明显积极变化，高端存储器需求持续旺盛，同时消费类、NAND 等过剩产能持续去化，整体供需格局持续边际改善，NAND 等部分产品价格拐点趋近，模组等厂商盈利能力亦有望边际修复。1）供给侧：原厂积极减产尤其是针对 NAND 部分，2025 年针对消费类等传统产品资本支出规划相对保守；2）需求侧：高端产品需求旺盛，消费类产品温和复苏，AI 渗透率提升带来存储扩容增量需求；3）库存端：需求温和复苏，原厂减产效应显现，供需格局明显改善，海外龙头厂商库存趋近健康水平；4）价格端：2 月以来 DDR5 等高端 DRAM 产品价格维持高位，利基 DDR3 等价格依然有所承压，NAND Flash Wafer 价格边际改善，部分存储模组厂商预期25Q2 部分产品有望迎来价格拐点；5）销售端：产品结构改善带来海外龙头收入持续同比复苏，中国台湾存储模组厂商 2 月收入表现较好，部分厂商表示部分客户备货意愿增强。 ❑ 高端存储器景气延续，国产替代进程加速。24Q4 北美互联网云厂商资本开支同比高增长，多家厂商 2025 年资本开支指引乐观；三大存储原厂 2025 年资本开支将聚焦 HBM、eSSD 等高端存储器扩产，指引景气延续，美光将 2025年 HBM 市场规模指引从 250 亿美元提升至 300 亿美元。国内厂商在高端存储器领域加速追赶，以长存长鑫为代表的厂商分别在多层 3D NAND、LPDDR5 等领域快速追赶，部分产品性能媲美海外龙头；另外近期韩媒报道，三星将在下一代 V10 NAND 产品上和长存合作，侧面印证了国产存储 IDM 技术实力。同时，在美国出口管制加剧的背景下，国内存储厂商，以及 HBM 等配套设备/材料厂商加速推动国产化进程。 ❑ AI 端侧产品逐步落地，存储模组+利基芯片持续扩容。根据 SK 海力士指引，2025 年 AI 手机和 PC 渗透率将分别增长至约 30%和 30-40%；在前期 2025年 CES 大会上，多款 AI+AR 眼镜产品亮相。近期 Deepseek 等大模型推出，通过自研分布式训练框架降低单次模型训练成本，显著降低算力需求，使复杂模型在边缘设备（如手机、IoT 设备）上运行成为可能，将进一步加速搭载AI 大模型的端侧产品落地。AI PC、手机、可穿戴产品存储模组和利基存储芯片扩容趋势明确，例如 AI 手机平均 DRAM 容量从 8GB 增至 12-16GB、AI PC平均 DRAM 容量从 12GB 增至 16-64GB、AI 耳机 NOR 容量从 64-128Mb 增至 256Mb。 ❑ 存算一体打破存储“双墙”限制，算力下沉需求加速存储创新。传统服务器计算芯片与存储器采用并行架构，CPU 在处理来自片外 DRAM 数据时，常用 行业规模 占比% 股票家数（只） 500 9.8 总市值（十亿元） 9523.4 10.7 流通市值（十亿元） 8068.6 10.0 行业指数 % 1m 6m 12m 绝对表现 6.6 68.2 40.6 相对表现 4.9 41.4 28.1 资料来源：公司数据、招商证券 相关报告 1、《半导体行业月度深度跟踪：存储等行业周期边际复苏，设备、模拟等公司并购整合加速》2025-03-15 2、《存储行业深度报告：AI 服务器存储量价齐升，算力需求推动 HBM市场数倍增长》2023-11-22 3、《SK 海力士 24Q4 跟踪报告：单季收入利润创历史新高， 25 年 HBM收入指引翻倍以上增长》2025-01-24 鄢凡 S1090511060002 yanfan@cmschina.com.cn 谌薇 S1090524070008 shenwei3@cmschina.com.cn 王虹宇 研究助理 wanghongyu@cmschina.com.cn -40-200204060Mar/24Jul/24Oct/24Feb/25(%)电子沪深300供需改善下 NAND 价格拐点趋近，高端存储和端侧创新带来增量需求 敬请阅读末页的重要说明 2 行业深度报告 数据会被存储在缓存中，一方面，CPU 和主内存之间有限带宽会限制数据交换速度，从而形成“存储墙”；另一方面，数据搬运能耗极高，形成“功耗墙”。存算一体方案应运而生，可通过采用 2.5D/3D 互联等近存计算或者采用 HBM、新型存储器等存内计算的方式，突破存储“双墙”限制。另外，算力逐步从云端下沉至边缘端，边缘设备除了提出算力需求，还对灵活性、成本、功耗等提出要求，将进一步加速存算一体方案创新，以华邦电 CUBE 为代表的定制化存储+堆叠封装方案可用于多种边缘设备，能够在小容量同时实现高带宽。 ❑ 投资建议。2025 年国内存储市场将围绕周期边际复苏+高端存储国产替代+端侧存储扩容及创新三大主线，建议重点关注 1）受益于消费类存储边际复苏的存储模组和利基存储芯片厂商；2）受益于国产高端存储器领域的持续突破、以及 HBM 配套设备/材料国产替代趋势的标的；2）受益于 AI 端侧存储扩容和潜在受益于存算一体等创新加速的标的。建议关注江波龙、佰维存储、德明利、朗科科技、大为股份等存储模组厂商，兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份、恒烁股份、北京君正、复旦微电等利基存储芯片厂商，联芸科技、深科技、有方科技、同有科技、香农芯创等存储产业链配套厂商。 ❑ 风险提示：下游需求不及预期、行业竞争加剧、宏观经济形势变化、存储国产替代不及预期、长江存储等受美国出口管制加剧的风险。 敬请阅读末页的重要说明 3 行业深度报告 正文目录 一、存储行业不同细分领域表现分化，部分消费类产品价格跌至周期底部 ....... 5 二、原厂针对性减产带来供需格局改善，部分 NAND 产品价格拐点趋近 ....... 10 三、高端存储器景气延