半导体行业SEMICON大会跟踪报告：国产设备新品持续发布，零部件国产化加速推进

敬请阅读末页的重要说明 2025 年 03 月 30 日 推荐（维持） 半导体 SEMICON 大会跟踪报告 TMT 及中小盘/电子 SEMICON China 大会在上海成功召开，大会聚焦 1）新凯来首次亮相，展示扩散、刻蚀、薄膜、量检测四大类产品，标志国产设备实力进一步提升；2）国产设备新品不断推出，平台化布局日益完善，细分工艺创新加速；3）零部件国产化关注度提高，细分产品替代进程预计加速。建议关注半导体设备新品发布及平台化布局进展，以及半导体零部件国产化进程，维持行业投资评级为“推荐”。 ❑ 新凯来首次亮相 SEMICON，标志着国产设备整体实力进一步提升。新凯来首次亮相 SEMICON，展示扩散、刻蚀、薄膜沉积、量检测四大类半导体设备，涵盖 EPI、RTP、ICP/CCP、PVD、CVD、PEALD/Thermal ALD、明场/暗场/无图形/掩模版检测、套刻精度量测等细分工艺。公司产品工艺覆盖度较高，如刻蚀设备可以适用硅、介质、金属等材料，并且已经掌握双大马士革、超高深宽比等关键工艺；ALD 设备可适配国内先进节点，覆盖 PEALD 和Thermal ALD 两大工艺。从机台设计来看，公司刻蚀、薄膜设备采用多腔体结构，设备集成度较高，可根据不同需求配置不同的腔体；从客户覆盖度来看，公司多种产品覆盖国内头部逻辑/存储 Fab 客户，部分支持先进节点。 ❑ 国产设备平台化布局持续推进，新品发布和技术创新加速。2024 年以来，国内设备行业围绕平台化布局+新品拓展两大主线，整体国产化率进一步提升。①新凯来工艺覆盖度较高，平台化布局相对完善；北方华创、华海清科开拓离子注入产品线；拓荆科技持续从前道设备向 3D IC 环节推进；②国内设备公司细分工艺创新加速，如中微 ICP 刻蚀设备刻蚀精度进一步突破，拓荆 ALD中科飞测、精测电子、天准科技等公司关键机台在头部产线进展顺利。 ❑ SEMICON 大会提高零部件关注度，2025 年国产化进程预计加快。国内设备和零部件技术实力不断提升，叠加海外半导体零部件出口管制加剧，基于对供应链安全等的考量，国内设备厂商替代进口零部件的意愿强烈，国产零部件需求相对旺盛。国内头部零部件厂商已经批量供货国内头部 Fab 和设备厂商，国产替代进展顺利，本次 SEMICON 大会进一步提升国产零部件关注度，2025 年零部件国产替代进程预计进一步加速。 ❑ 投资建议。SEMICON 大会展现国内半导体设备技术实力，国产零部件厂商关注度进一步提高。建议关注受益于平台化布局或技术产品创新加速的北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、中科飞测、精测电子、精智达等的设备厂商；建议关注受益于半导体零部件国产替代加速的富创精密、新莱应材、正帆科技、英杰电气、珂玛科技、先锋精科等零部件厂商。 ❑ 风险提示：1）下游晶圆厂扩产不及预期的风险；2）半导体行业景气度下滑的风险；3）国产设备厂商竞争加剧的风险；4）国产设备和零部件厂商研发进展不及预期的风险等。 行业规模 占比% 股票家数（只） 503 9.9 总市值（十亿元） 8979.8 10.4 流通市值（十亿元） 7623.5 9.7 行业指数 % 1m 6m 12m 绝对表现 -7.5 48.1 41.7 相对表现 -8.2 42.4 30.5 资料来源：公司数据、招商证券 相关报告 1、《半导体行业月度深度跟踪：存储等行业周期边际复苏，设备、模 拟 等 公 司 并 购 整 合 加 速 》2025/03/15 2、《半导体行业跟踪报告：美国出口管制实体清单落地，先进制造、封装等领域国产化加速》2024/12/03 鄢凡 S1090511060002 yanfan@cmschina.com.cn 谌薇 S1090524070008 shenwei3@cmschina.com.cn 王虹宇 研究助理 wanghongyu@cmschina.com.cn -40-200204060Apr/24Jul/24Nov/24Mar/25(%)电子沪深300国产设备新品持续发布，零部件国产化加速推进 敬请阅读末页的重要说明 2 行业深度报告 正文目录 1、新凯来首次亮相 SEMICON，标志着国内半导体整体实力进一步提升 ......... 3 2、国产设备新品持续推出，细分工艺创新加速 ................................................. 5 3、SEMICON 提升国产设备零部件关注度，核心产品国产替代有望加速推进 .. 7 4、投资建议 ....................................................................................................... 8 5、风险提示 ....................................................................................................... 8 图表目录 图 1：北方华创 12 英寸电镀设备技术参数......................................................... 5 图 2：氧化硅、氮化硅和多晶硅晶圆在中微 ICP 双反应台上刻蚀速度的差别 ... 6 表 1：新凯来部分设备布局 ................................................................................. 3 敬请阅读末页的重要说明 3 行业深度报告 1、新凯来首次亮相 SEMICON，标志着国内半导体整体实力进一步提升 新凯来首次亮相 SEMICON，展示了扩散、刻蚀、薄膜沉积、量检测共四大类半导体设备，涵盖 EPI、RTP、ICP/CCP、PVD、CVD、PEALD/Thermal ALD、明场/暗场/无图形/掩模版检测、套刻精度量测等细分工艺。根据新凯来展示材料，公司产品工艺覆盖度较高，如刻蚀设备可以适用硅、介质、金属等材料，并且已经掌握双大马士革、超高深宽比等关键工艺；ALD 设备可适配国内先进节点，覆盖 PEALD 和 Thermal ALD 两大工艺，可用于多重曝光、栅极填充、栅氧化层、刻蚀阻挡层等关键薄膜，适用图形化、超薄薄膜、超高深宽比和 gap fill 需求。从机台设计来看，公司刻蚀、薄膜设备采用多腔体结构，设备集成度较高，可根据不同需求配置不同的腔体，如武夷山 1 号 Master CCP干法刻蚀设备采用全对称架构，整体可配置 6 个工艺腔（PM）；阿里山 1 号 PEALD 设备搭配五边形平台和 Twin 腔领先架构。 表 1：新凯来部分设备布局 设备分类 设备型号 适用工艺 适用材料 工艺装备 扩散产品 EPI 峨眉山 1 号 源漏极锗硅外延 硼掺杂锗硅，硼掺杂锗硅镓等 峨眉山 2 号 源漏极锗硅外延 磷硅，磷硅砷等 峨眉山 3 号